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當(dāng)前，憑借高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢，碳化硅功率器件已經(jīng)成為新能源汽車、5G通訊、軌道交通、智能電網(wǎng)等市場新的增長點。 據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處預(yù)測，2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應(yīng)用市場的強勁需求，預(yù)期至2026年SiC功率元件市場規(guī)模可望達53.3億美元。 當(dāng)前，全球碳化硅市場主要被國外廠商所占據(jù)，尤其是面對巨大的市場前景，STM、Infineon、Wolfspeed、ROHM、Onsemi等一眾國際半導(dǎo)體廠商都紛紛加碼擴產(chǎn)。而近期，除了安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴產(chǎn)碳化硅芯片外，SK集團也宣布其釜山新工廠正式量產(chǎn)SiC，產(chǎn)能擴大近3倍。 5月16日，SK集團宣布，SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運行，將正式投入批量生產(chǎn)。 這意味著SK集團的SiC（碳化硅）半導(dǎo)體產(chǎn)能將擴大近3倍，預(yù)計2026年SK powertech銷售額增長將超過5000億韓元（約合3.74億美元）。 資料顯示，SK集團是目前韓國首家擁有SiC全產(chǎn)業(yè)鏈的廠商，而旗下SK powertech則是全球SiC（碳化硅）電力半導(dǎo)體設(shè)計、生產(chǎn)領(lǐng)域的知名企業(yè)。 去年5月，SK集團宣布，未來五年將投資247萬億韓元（相當(dāng)于1976億美元）在半導(dǎo)體、電池以及生物制藥領(lǐng)域進行投資，其中的179萬億韓元將在韓國本土投資以協(xié)助韓國本土振興經(jīng)濟。 據(jù)“SK中國”介紹，SK powertech釜山新工廠計劃到2023年第四季度，工廠開工率將提升至100%，屆時新工廠將具備年產(chǎn)29000張（150mm/6英寸晶片標(biāo)準）規(guī)模的SiC電力半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，比目前的約10000張?zhí)嵘?倍。 ?

近日，由科技日報社主辦、部分兩院院士和媒體人士共同評選出的2022年國內(nèi)十大科技新聞揭曉，清華團隊首次制成柵極長度最小的晶體管入選2022年國內(nèi)十大科技新聞。 △亞1納米柵長晶體管結(jié)構(gòu)示意圖 人類又向摩爾定律的極限發(fā)起挑戰(zhàn)。這一次，中國人扮演了探索者的角色。清華大學(xué)集成電路學(xué)院團隊首次制備出亞1納米柵極長度的晶體管，該晶體管具有良好的電學(xué)性能。相關(guān)成果在線發(fā)表在3月15日的《自然》雜志上。 過去幾十年，晶體管的柵極尺寸不斷微縮。隨著尺寸進入納米尺度，電子遷移率降低、靜態(tài)功耗增大等效應(yīng)越發(fā)嚴重。新結(jié)構(gòu)和新材料的開發(fā)迫在眉睫。目前主流工業(yè)界晶體管的柵極尺寸在12納米以上。為進一步突破1納米以下柵長晶體管的瓶頸，研究團隊巧妙利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優(yōu)異的導(dǎo)電性能作為柵極，通過石墨烯側(cè)向電場來控制垂直的二硫化鉬（MoS_2）溝道的開關(guān)，從而實現(xiàn)等效的物理柵長為0.34納米。 △隨著摩爾定律的發(fā)展，晶體管柵長逐步微縮，本研究實現(xiàn)了亞1納米柵長的晶體管 團隊通過在石墨烯表面沉積金屬鋁并自然氧化的方式，完成了對石墨烯垂直方向電場的屏蔽。再使用原子層沉積的二氧化鉿作為柵極介質(zhì)、化學(xué)氣相沉積的單層二維二硫化鉬薄膜作為溝道。具體器件結(jié)構(gòu)、工藝流程、完成實物圖如下所示： △亞1納米柵長晶體管器件工藝流程、示意圖、表征圖以及實物圖 研究發(fā)現(xiàn)，由于單層二維二硫化鉬薄膜相較于體硅材料具有更大的有效電子質(zhì)量和更低的介電常數(shù)，在超窄亞1納米物理柵長控制下，晶體管能有效的開啟、關(guān)閉，其關(guān)態(tài)電流在pA量級，開關(guān)比可達105，亞閾值擺幅約117mV/dec。大量、多組實驗測試數(shù)據(jù)結(jié)果也驗證了該結(jié)構(gòu)下的大規(guī)模應(yīng)用潛力?；诠に囉嬎銠C輔助設(shè)計（TCAD）的仿真結(jié)果進一步表明了石墨烯邊緣電場對垂直二硫化鉬溝道的有效調(diào)控，預(yù)測了在同時縮短溝道長度條件下，晶體管的電學(xué)性能情況。這項工作推動了摩爾定律進一步發(fā)展到亞1納米級別，同時為二維薄膜在未來集成電路的應(yīng)用提供了參考依據(jù)。 △統(tǒng)計目前工業(yè)界和學(xué)術(shù)界晶體管柵極長度微縮的發(fā)展情況，本研究率先達到了亞1納米 紐約州立大學(xué)布法羅分校納米電子學(xué)家李華民對此評價道：這項新工作將柵極的尺寸極限進一步縮小到僅一層碳原子的厚度，在相當(dāng)長的一段時間內(nèi)，要打破這一紀錄是非常困難的。 單層石墨烯厚度僅0.34納米，本身是平面結(jié)構(gòu)，這就要求溝道是垂直結(jié)構(gòu)，這是一大難題。另外石墨烯除了側(cè)壁能夠柵控，其表面也能柵控，因此屏蔽石墨烯表面電場也是難點，中國團隊使用自氧化鋁層來完成這一點。 二維薄膜的未來集成電路將會帶來柔軟、透明、高密度的芯片。如果使用新材料，就有機會實現(xiàn)全柔性的手機——其CPU、存儲器都是軟的，而且更加節(jié)能。 『本文轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除』

[環(huán)球時報特約記者 陳立非]為確保臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球的領(lǐng)先地位，臺“行政院”17日通過被稱為“臺版芯片法”的“產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新條例”修正草案，之后將送“立法院”審議。臺媒稱，未來臺積電、聯(lián)發(fā)科等半導(dǎo)體大廠都有機會適用。 　　修正草案明定，在島內(nèi)進行前瞻技術(shù)創(chuàng)新、且居國際供應(yīng)鏈關(guān)鍵地位的公司，符合“適用資格條件者”，其在前瞻創(chuàng)新研究發(fā)展的25%支出可抵減當(dāng)年度應(yīng)納營利事業(yè)所得稅額，購置先進設(shè)備的5%支出抵減當(dāng)年度營利事業(yè)所得稅額，且無投資抵減支出金額上限。不過，單項投資抵減總額不得超過當(dāng)年度納稅額的30%，兩項同時申請則以稅額的50%為限。 　　臺灣《聯(lián)合報》舉例稱，假設(shè)一家公司2023年度前瞻創(chuàng)新研發(fā)支出為100億元（新臺幣，下同）、投資先進制程機器設(shè)備150億元，抵減前應(yīng)納稅額為60億元。如果該公司符合規(guī)定，則研發(fā)支出100億元中，雖然可享25%優(yōu)惠，但因為公司應(yīng)納營業(yè)所得稅的30%，也就是最高只有18億元可計入抵減，因此研發(fā)項目享有18億元的抵減優(yōu)惠。另外，在設(shè)備支出的150億元中，以機器設(shè)備投抵5%的租稅優(yōu)惠為7.5億元。也就是說，該公司前瞻創(chuàng)新研發(fā)支出加上機器設(shè)備支出兩項，2023年度可享有投資抵減25.5億元（18億元+7.5億元）。 　　針對此消息，臺積電稱會持續(xù)投資臺灣，對此法案樂觀其成。日月光集團旗下日月光半導(dǎo)體執(zhí)行長吳田玉也稱，未來十年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大環(huán)境會有更大的挑戰(zhàn)，產(chǎn)業(yè)在全球高額補助及多重管制之下，競爭將更為艱難。此次“產(chǎn)創(chuàng)條例”的修法，業(yè)界樂觀其成，實質(zhì)影響有待法規(guī)細節(jié)及配套措施。力積電董事長黃崇仁則在采訪中表示，當(dāng)局通過設(shè)備投資抵減，照顧臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的美意，他給予肯定并樂觀其成，但硬冠上“前瞻研發(fā)”及“先進制程設(shè)備”，似乎只想針對臺積電或少數(shù)設(shè)備商提供補助。 　　臺灣《中國時報》17日引用分析師的話稱，當(dāng)局推出相關(guān)補助政策，有利島內(nèi)半導(dǎo)體廠商的競爭力，但目前半導(dǎo)體庫存調(diào)整，成熟制程的產(chǎn)能利用率下滑明顯，廠商營收和獲利將被影響，因此對相關(guān)個股持中立的看法。 　　另有分析認為，民進黨當(dāng)局大力扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，一方面是希望從打造“護臺神山”到打造“護臺群山”，同時也是通過加大半導(dǎo)體供應(yīng)鏈在美國心目中的分量，強化臺灣安全。輿論則擔(dān)憂，臺灣的產(chǎn)業(yè)高度集中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，可能會染上“荷蘭病”，也就是高科技長期一枝獨秀，產(chǎn)業(yè)發(fā)展不均，加速M型化社會發(fā)展，進一步拉大島內(nèi)貧富差距。 ?